发明名称 电子元件及其制造方法
摘要 本发明公开了一种电子元件,特别是,例如一种包括TFT、存储电容器或叠层器件的导电层之间的交叉的电子元件。电子元件包括衬底,在该衬底上设置有形成电极的第一导电层。由第二导电层形成的第二电极通过至少一个介电层与第一电极隔开,该介电层包括电绝缘材料(优选地具有抗电击穿的高阻抗)的夹层以及另一可光图案化的电绝缘材料层。
申请公布号 CN101772848B 申请公布日期 2015.08.19
申请号 CN200880101248.X 申请日期 2008.07.16
申请人 创造者科技有限公司 发明人 克里斯托夫·威廉·塞莱;莫妮卡·约翰内斯·贝恩哈克斯;格温·赫尔曼纳斯·格林克;尼古拉斯·阿尔德贡达·扬·玛丽亚·范阿尔勒;亚尔马·埃德泽尔·爱科·胡伊特马
分类号 H01L51/00(2006.01)I 主分类号 H01L51/00(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种电子元件,包括一叠层,所述叠层具有至少由一介电层电性隔离的第一导电层形成的一第一电极和一第二导电层形成的一第二电极,其中,所述介电层包括电绝缘材料的夹层,所述电绝缘材料具有高时变电击穿强度,所述夹层至少部分地被另一层可光图案化的电绝缘材料覆盖;其中,所述另一层被设计为由化学试剂来处理,所述夹层在所述化学试剂中是可溶的。
地址 荷兰布莱达