一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法

摘要

本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，在需要制作钝化层的基片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂和烘烤，采用低温的方法生长一层二氧化硅，在二氧化硅上进行光刻胶的旋涂和烘烤，曝光显影获得光刻胶图形，以光刻胶图形为掩膜层，刻蚀二氧化硅形成图形，剥离去除光刻胶，再以图形化的二氧化硅为掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺以形成图形，再用干法回刻的方法去除二氧化硅，最后经固化后获得非感光性聚酰亚胺钝化层。本发明解决了传统非感光性聚酰亚胺工艺中金属铝被显影腐蚀、非感光性聚酰亚胺的形貌差以及光刻胶残留等问题。

主权项

一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)提供一需制作非感光性聚酰亚胺钝化层的基片；所述基片上的顶层金属连线已经形成，或者所述基片上的顶层金属连线以及介质层钝化膜的图形已经形成；(2)在基片上进行非感光性聚酰亚胺的旋涂、烘烤；所述的非感光性聚酰亚胺是指其对波长436纳米的G‑line，波长365纳米的I‑line，波长248纳米的KrF和波长193纳米的ArF中的任意一种或多种光不具有光敏性；(3)采用低温氧化法生长二氧化硅薄膜层；(4)光刻胶的旋涂、烘烤；(5)曝光及显影获得光刻胶图形；(6)以光刻胶图形为刻蚀掩膜层，刻蚀二氧化硅薄膜层形成图形；(7)剥离去除光刻胶；(8)以图形化的二氧化硅薄膜层为刻蚀掩膜层，干法刻蚀非感光性聚酰亚胺以形成钝化层图形；(9)用干法回刻的方法去除二氧化硅薄膜层；(10)固化后获得非感光性聚酰亚胺钝化层。