一种高提取外量子效率的LED芯片制造方法

摘要

本发明提供一种高提取外量子效率的LED芯片制造方法，包括以下步骤：步骤(1)：在图形化衬底上一次生长GaN层、N-GaN层、量子阱层、P-GaN层、沉积ITO层；步骤(2)：在P-GaN或ITO表面悬图一层光阻液；步骤(3)：对光阻液进行图形曝光、显影、烘烤等黄光工艺或采用纳米压印的方式制备图形；步骤(4)：选用ICP或湿法蚀刻方法对其进行图形转移至外延片或ITO层。本发明将通过在P-GaN层或在ITO层进行开微孔，一方面破坏光在经过P-GaN层、ITO、SiO₂与空气界面时发生反射现象；另一方面降低P-GaN层、ITO的光吸收，有效增加了光出射的机率，提高发光效率。本发明方法通过现有的技术易实现、过程受控、便于产业化生产。

主权项

一种高提取外量子效率的LED芯片制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤(1)：在图形化衬底上一次生长GaN层、N‑GaN层、量子阱层、P‑GaN层、沉积ITO层；步骤(2)：在P‑GaN或ITO表面悬图一层光阻液；步骤(3)：对光阻液进行图形曝光、显影、烘烤等黄光工艺或采用纳米压印的方式制备图形；步骤(4)：选用ICP或湿法蚀刻方法对其进行图形转移至外延片或ITO层。