发明名称 |
发光器件的芯片级封装方法及结构 |
摘要 |
本申请公开了一种发光器件的芯片级封装方法,包括步骤:将至少一个倒装发光器件等距离排列在转换基膜上,所述倒装发光器件的主出光面背离所述转换基膜;在所述转换基膜上的倒装发光器件之间和/或周围形成围坝;分别在所述倒装发光器件和转换基膜上涂覆封装胶;待所述封装胶固化到无流动性时去除所述围坝;待所述封装胶完全固化后切割所述封装胶;去除所述转换基膜,倒膜后得到芯片级封装结构。本发明还公开了一种发光器件的芯片级封装结构。本发明在大大简化芯片的封装工艺步骤、节省芯片的支撑基板、降低成本及更加方便用户提高工作效率等方面具有重要意义。 |
申请公布号 |
CN104851961A |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201510130969.5 |
申请日期 |
2015.03.24 |
申请人 |
湘能华磊光电股份有限公司 |
发明人 |
王良臣;汪延明;苗振林;梁智勇;许亚兵 |
分类号 |
H01L33/52(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/52(2010.01)I |
代理机构 |
北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 |
代理人 |
何自刚 |
主权项 |
一种发光器件的芯片级封装方法,其特征在于,包括:将至少一个倒装发光器件等距离排列在转换基膜上,所述倒装发光器件的主出光面背离所述转换基膜,其中,所述转换基膜的表面具有一定粘度而且耐高温,用于粘附所述倒装发光器件;在所述转换基膜上的倒装发光器件之间和/或周围形成围坝;分别在所述倒装发光器件和转换基膜上涂覆封装胶,所述封装胶为光固化胶、热固化胶或热固化与光固化结合的封装胶中的一种;待所述封装胶固化到无流动性时去除所述围坝;待所述封装胶完全固化后切割所述封装胶;去除所述转换基膜,倒膜后得到芯片级封装结构。 |
地址 |
423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 |