一种提高存储器性能的方法

摘要

本发明提供了一种提高存储器性能的方法，通过将单元器件区的源漏掺杂工艺调整到逻辑器件区栅极的氧化修复工艺之后，同时取消紧接单元器件区的源漏掺杂之后的热处理工艺，利用逻辑器件区掺杂之后的热处理工艺来对同时单元器件区进行热处理，相比较传统技术单元器件区少了两步热处理的工艺步骤，进而可使源漏掺杂区的形貌更加陡峭，进而容易形成更高的电场，进而有利于触发带-带隧穿热电子的产生，激发电离产生更多的电子，使得通过隧穿氧化层的热电子注入到浮栅，从而增加flash器件在编程（写）时的进入浮栅的电子数量，提高编程速度和效率。

主权项

一种提高存储器性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一flash衬底，该衬底上设置有单元器件区和外围电路区，位于所述单元器件区的衬底之上形成有单元器件栅，且所述外围电路区中还定义有逻辑器件区和高压器件区；在对所述单元器件区中进行第一掺杂工艺之后，继续进行侧墙形成工艺；在所述逻辑器件区中制备逻辑器件栅之后，继续于该逻辑器件区中进行栅极氧化修复工艺；于所述单元器件区中进行第二掺杂工艺后，继续于所述逻辑器件区中进行第三掺杂工艺和热处理工艺；其中，在对所述单元器件区进行第二掺杂工艺之后不进行任何热处理工艺，直接对逻辑器件区进行第三掺杂工艺及退火工艺。