| 发明名称 | 一种低磁导率温度系数近场通讯磁片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种低磁导率温度系数近场通讯磁片及其制备方法，涉及近场通讯。低磁导率温度系数近场通讯磁片包括主成分和副成分；按摩尔百分比，主成分的Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为48％～55％，ZnO为12％～20％，NiO为15.5％～20％，CuO为13％～16％，MnCO<sub>3</sub>为0～3％，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为0.01％～0.025％，Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为0～0.05％；副成分的SiO<sub>2</sub>为1％，WO<sub>3</sub>为0～3％。将主成分、水和磨球混合，球磨得浆料，分离后烘干，再预烧；粉碎过筛，加入副成分，再加入水球磨，过筛后烘干，然后与水基流延浆料混合，得流延浆料，球磨，过筛，脱泡，得脱泡流延浆料；流延后得铁氧体坯片，干燥，热处理；烧结，再与胶带贴合，得产物。 | ||
| 申请公布号 | CN104844184A | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201510204842.3 | 申请日期 | 2015.04.27 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 熊兆贤;马腾;徐文浩;冯瑶;翁章钊 |
| 分类号 | C04B35/26(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 一种低磁导率温度系数近场通讯磁片，其特征在于包括主成分和副成分；按摩尔百分比，所述主成分的Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为48％～55％，ZnO为12％～20％，NiO为15.5％～20％，CuO为13％～16％，MnCO<sub>3</sub>为0～3％，Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为0.01％～0.025％，Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>为0～0.05％；副成分的SiO<sub>2</sub>为1％，WO<sub>3</sub>为0～3％。 | ||
| 地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 | ||