发明名称 |
超低损耗高带宽耐辐照多模光纤及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超低损耗高带宽耐辐照多模光纤及其制造方法,所述多模光纤自内而外依次为不掺杂Ge元素的芯层、氟掺杂石英包层、吸收杂质石英包层和石英包层,其中,不掺杂Ge元素的芯层的折射率为梯度渐变型折射率分布,且分布幂指数α为1.7~2.3;芯层与掺氟石英包层的相对折射率差最大值Δ1%<sub>max</sub>为0.6%~1.2%;掺氟石英包层的折射率低于吸收杂质石英包层折射率;吸收杂质石英包层的折射率不小于石英包层的折射率。本发明,引入了吸收杂质石英包层这个内包层结构,相比较单纯氟掺杂的内包层结构,其能够在辐照射线通过包层到达芯层前在该区域吸收部分光纤受到的辐射,减少芯层因辐射造成的结构缺陷从而提高光纤的耐辐射能力。 |
申请公布号 |
CN103543491B |
申请公布日期 |
2015.08.19 |
申请号 |
CN201310552603.8 |
申请日期 |
2013.11.08 |
申请人 |
烽火通信科技股份有限公司;武汉烽火锐光科技有限公司 |
发明人 |
莫琦;陈伟;杜城;张涛;柯一礼;杜琨;但融;李诗愈 |
分类号 |
G02B6/028(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I;C03B37/018(2006.01)I;C03B37/025(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/028(2006.01)I |
代理机构 |
北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 |
代理人 |
魏殿绅;庞炳良 |
主权项 |
超低损耗高带宽耐辐照多模光纤,其特征在于,所述多模光纤自内而外依次为:不掺杂Ge元素的芯层,其折射率呈梯度渐变型分布,且分布幂指数α为1.7~2.3;氟掺杂石英包层,所述芯层与所述氟掺杂石英包层的相对折射率差最大值Δ1%<sub>max</sub>为0.6%~1.2%;吸收杂质石英包层,所述氟掺杂石英包层的折射率低于所述吸收杂质石英包层折射率;石英包层,所述吸收杂质石英包层的折射率不小于所述石英包层的折射率;所述氟掺杂石英包层与所述石英包层相对折射率差Δ2%为‑0.6%~‑1.2%,所述吸收杂质石英包层与石英包层相对折射率差Δ3%为0.01%~0.2%。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技园东信路5号 |