| 摘要 |
<p>Halbleitervorrichtung mit einem Strompfad, umfassend: eine Halbleiterschicht, die wenigstens einen Teil des Strompfades bildet und aus Siliziumkarbid gebildet ist; und ein Substrat, das eine erste Oberfläche zum Halten der Halbleiterschicht und eine gegenüber der ersten Oberfläche angeordnete zweite Oberfläche aufweist, das aus Siliziumkarbid mit einer 4 H-Einkristallstruktur gebildet ist und das eine physikalische Eigenschaft auf der zweiten Oberfläche aufweist, bei der in der Photolumineszenz-Messung ein Intensitätsverhältnis einer Spektrumspitze bei einer Wellenlänge von etwa 500 nm zu einer Spektrumspitze bei einer Wellenlänge von etwa 390 nm 0,1 oder kleiner ist.</p> |
