发明名称 MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD THEREOF
摘要 <p>본 발명은 플래시 메모리 시스템 및 그 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플래시 메모리 장치는 멀티 레벨 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및 상기 멀티 레벨 셀에 한 비트의 정보가 저장하도록 제어하는 컨트롤 로직을 포함하되, 상기 컨트롤 로직은 상기 멀티 레벨 셀이 소거 동작없이 프로그램 동작되도록 제어한다. 따라서, 본 발명에 따른 플래시 메모리 장치는 소거 동작을 실행하지 않으므로, 동작 속도를 향상하는 효과가 있다.</p>
申请公布号 KR101544607(B1) 申请公布日期 2015.08.17
申请号 KR20080105759 申请日期 2008.10.28
申请人 发明人
分类号 G11C16/10;G11C16/12;G11C16/34 主分类号 G11C16/10
代理机构 代理人
主权项
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