半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明的一个方式提供包括使用氧化物半导体并通态电流大的电晶体的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一电晶体；以及设置在像素部中的第二电晶体，其中，第一电晶体的结构和第二电晶体的结构互不相同。此外，第一电晶体及第二电晶体为顶闸极结构的电晶体，闸极电极不与被用作源极电极及汲极电极的导电膜重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与闸极电极、源极电极及汲极电极重叠的区域中具有杂质元素。