制造多晶矽的方法;PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON

摘要

本发明系关于一种制造多晶矽的方法，其中将一包括一含矽组分和氢气的反应气体引入到一反应器中，该反应器包括至少一由矽制得的、藉由电流直接通过而加热的支撑体，所述含矽组分被分解且多晶矽被沉积在所述至少一支撑体上，其中所述至少一由矽制得的支撑体系具有一氧化物层，于在所述至少一支撑体上沉积多晶矽开始之前，藉由将该至少一支撑体加热到至多1100至1200°C并藉由将一含有氢气的吹扫气体进料到该反应器中，使其在表压0.1至5巴的系统压力下暴露于一含有氢气的气氛下而去除该氧化物层。