| 发明名称 |
含磷杂环庚三烯基质化合物半导体材料;Semiconducting Material Comprising A Phosphepine Matrix Compound |
| 摘要 |
本发明针对一种包含至少一磷杂环庚三烯环的化合物在半导体材料中的用途、该半导体材料以及电子装置。 |
| 申请公布号 |
TW201531479 |
申请公布日期 |
2015.08.16 |
| 申请号 |
TW103145093 |
申请日期 |
2014.12.23 |
| 申请人 |
诺瓦发光二极体有限公司 NOVALED GMBH |
发明人 |
诺尔纳 迈克 ZOELLNER, MIKE |
| 分类号 |
C07F9/6568(2006.01);H05B33/20(2006.01);H01L51/54(2006.01) |
主分类号 |
C07F9/6568(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 |
| 主权项 |
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| 地址 |
德国 DE |
