| 发明名称 |
形成嵌入动态随机存取记忆体电容器的成本效益佳的方法;COST EFFECTIVE METHOD OF FORMING EMBEDDED DRAM CAPACITOR |
| 摘要 |
揭露高电容嵌入金属互连电容器及相关制造程序，供于双镶嵌铜程序中使用方向障壁金属形成序列，而形成于每一导孔孔洞之底部具有减少障壁金属层形成之多层堆叠铜互连结构，使得多层堆叠铜互连结构可轻易地移除并以高电容MIM电容器层取代。 |
| 申请公布号 |
TW201532247 |
申请公布日期 |
2015.08.16 |
| 申请号 |
TW103131739 |
申请日期 |
2014.09.15 |
| 申请人 |
康佛森智财管理公司 CONVERSANT INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT INC. |
发明人 |
李秀根 LEE, SOOGEUN |
| 分类号 |
H01L27/108(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/74(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
加拿大 CA |
