使用冲穿效应以限制放大器电压;AMPLIFIER VOLTAGE LIMITING USING PUNCH-THROUGH EFFECT

摘要

本发明提供用于使用矽穿孔(TSV)定位在半导体电路中进行电压箝位之系统及方法。本发明揭示一种半导体晶粒，其包含：一矽基板；一双极电晶体，其具有安置于该基板上之集极、射极、基极及子集极区域；及一矽穿孔(TSV)，其定位于该子集极区域之35微米内以将该双极电晶体之一峰值电压箝位在一电压极限位准处。