发明名称 半导体记忆体装置及操作该半导体记忆体装置的方法;SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND OPERATING METHOD THEREOF
摘要 一半导体记忆体装置可包含一错误检查与校正电路区块,系配置成接收复数胞资料,并在接收一错误检查致能讯号后输出被错误检查资料及错误资料区别讯号;以及一资料汇流排反相电路区块,系配置成接收该等胞资料,并在接收一读取资料汇流排反相致能讯号、该错误检查致能讯号及该等错误资料区别讯号后,藉由反相或不反相该等胞资料而输出该等胞资料。; and a data bus inversion circuit block configured to receive the plurality of cell data, and output the plurality of cell data by inverting or non-inverting the cell data after receiving a read data bus inversion enable signal, the error check enable signal and the error data discrimination signals.
申请公布号 TW201532063 申请公布日期 2015.08.16
申请号 TW103144977 申请日期 2014.12.23
申请人 爱思开海力士有限公司 SK HYNIX INC. 发明人 金载镒 KIM, JAE IL
分类号 G11C29/44(2006.01);G11C29/42(2006.01) 主分类号 G11C29/44(2006.01)
代理机构 代理人 赖安国王立成
主权项
地址 南韩 KR