半导体基板中的半导体元件及其制备方法;SEMICONDUCTOR DEVICES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FABRICATION METHOD THEREOF

摘要

本发明公开了一种用于沟槽金属氧化物半导体场效应电晶体（MOSFET）中的低米勒电容的较厚的底部氧化物，提出了半导体元件的制备方法和元件。半导体功率元件形成在半导体基板上，具有复数个沟槽电晶体晶胞，各晶胞都有一个沟槽闸极。各沟槽闸极都具有藉由多晶矽层上的再氧化制程形成的较厚的底部氧化物（TBO），沉积在沟槽的底面上。