半导体元件结构及其形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

提供了形成半导体元件结构之方法的实施例。方法包括于半导体基底上形成闸极堆叠，并于闸极堆叠之侧壁上形成密封结构。方法还包括于半导体基底、密封结构、及闸极堆叠上形成虚置遮蔽层。方法更包括于虚置遮蔽层上进行离子布植制程以于半导体基底中形成源极及汲极区。此外，方法包括在形成源极及汲极区之后，移除虚置遮蔽层。