发明名称 基板处理装置、半导体装置之制造方法及电脑可读取之记录媒体
摘要 提供可以抑制副生成物之产生,并提升基板之面内之均匀性之基板处理装置、基板处理方法及半导体制造装置之制造方法。具有:处理基板之处理室;具备在上述处理室内分别对上述基板之中心部和上述基板之周缘部独立供给处理基板的处理气体之气体供给孔的气体供给部;使上述处理室内排气的排气部;和对上述基板之周缘部供给从上述气体供给部被供给之处理气体之后,以供给至上述基板中心部之方式,控制上述气体供给部的控制部。
申请公布号 TW201532171 申请公布日期 2015.08.16
申请号 TW103140059 申请日期 2014.11.19
申请人 日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 山口天和 YAMAGUCHI, TAKATOMO;西堂周平 SAIDO, SHUHEI
分类号 H01L21/67(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本 JP