发明名称 记忆体电路中断的脉冲机构;PULSE MECHANISM FOR MEMORY CIRCUIT INTERRUPTION
摘要 在其中多个记忆体晶片在一共用汇流排线路上传达其等就绪/繁忙状态之一记忆体系统中,一脉冲机构用于该等个别记忆体晶片以向控制器指示记忆体晶片之就绪/繁忙状态。在一实例中,该控制器将不同长度之脉冲持续时间指派给记忆体晶粒以容许该控制器区分该等记忆体晶粒。亦描述用于处置不同晶片之脉冲之间之汇流排冲突之技术。
申请公布号 TW201532047 申请公布日期 2015.08.16
申请号 TW103145957 申请日期 2014.12.27
申请人 桑迪士克科技公司 SANDISK TECHNOLOGIES INC. 发明人 吐尔斯 丹尼尔 艾德华 TUERS, DANIEL EDWARD;曼诺华 艾毕杰特 MANOHAR, ABHIJEET;威柏格 尤维 WEINBERG, YOAV;巴罗卡斯 米尔顿 罗伦可 BARROCAS, MILTON LOURENCO
分类号 G11C16/06(2006.01);G11C16/32(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 黄章典楼颖智
主权项
地址 美国 US