| 摘要 |
一种以离子辅助蒸镀法磊制半导体化合物的方法，包含：(a)于蒸镀系统中的载座上放置单晶物质并关闭蒸镀系统的挡板以遮蔽单晶物质的磊晶面；(b)使蒸镀系统内的镀料蒸发成待镀气体；(c)于蒸镀系统内引入待化合离子以解离待镀气体；及(d)打开挡板以裸露出磊晶面使待化合离子与解离后的待镀气体于磊晶面上产生化合，并从而磊制一半导体化合物膜。镀料是由II族元素、III族元素、IV族元素、II族元素与III族元素的组合，及III族元素与IV族元素的组合所制成；待化合之离子是氮离子或氧离子；载座于步骤(d)时具有一足以使半导体化合物膜产生结晶化的工作温度。 |
