应用于系统单晶片之记忆体装置内的多相变化材料;MULTIPLE PHASE CHANGE MATERIALS IN A MEMORY DEVICE FOR SYSTEM ON A CHIP APPLICATION

摘要

一种装置包括第一组记忆胞以及第二组记忆胞，第一组记忆胞与第二组记忆胞具有记忆体元件以及位于第一与第二组记忆胞上的第一与第二覆盖材料。第一与第二覆盖材料可以包括较低与较高密度的氮化矽。记忆体元件可以包括可程式电阻记忆体材料，而覆盖材料可以接触记忆体元件。第一与第二组记忆胞可以具有共同的记忆胞结构。伴随着位于顶电极以及底电极之间的记忆体材料，第一组记忆胞之第一记忆胞可以包括顶电极与底电极，而第一覆盖材料接触记忆体材料。控制电路可以应用不同的写入演算法至第一与第二组记忆胞。藉由使用不同的覆盖材料形成第一与第二覆盖层，第一与第二组记忆胞可以具有不同的操作记忆体特性，但具有相同的记忆胞结构。