发明名称 |
半导体记忆体装置及包含其之记忆体系统;SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME |
摘要 |
半导体记忆体装置包括:记忆体单元阵列,其包括在基板之上的层叠配置的第一多个正常记忆体单元和第二多个虚设记忆体单元;第一多个正常字线,其与第一多个正常记忆体单元电耦接;以及第二多个虚设字线,其与第二多个虚设记忆体单元电耦接,其中,第一多个正常记忆体单元包括至少一个坏的记忆体单元,并且至少一个坏的记忆体单元中的每个被第二多个虚设记忆体单元之中的虚设记忆体单元代替。 |
申请公布号 |
TW201532072 |
申请公布日期 |
2015.08.16 |
申请号 |
TW103140150 |
申请日期 |
2014.11.20 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 SK HYNIX INC. |
发明人 |
崔殷硕 CHOI, EUN SEOK;吴政锡 OH, JUNG SEOK |
分类号 |
G11C8/14(2006.01);G11C8/12(2006.01) |
主分类号 |
G11C8/14(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰林景郁 |
主权项 |
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地址 |
南韩 KR |