| 发明名称 |
封装体的交错式通孔重分布层(RDL)及其形成方法;STAGGERED VIA REDISTRIBUTION LAYER (RDL) FOR A PACKAGE AND METHOD OF FORMING THE SAME |
| 摘要 |
示范性的封装体的交错式通孔重分布层(RDL)包括第一聚合物层，由金属介层窗支持。第一聚合物层具有第一聚合物通孔。第一重分布层配置于第一聚合物层上且位于第一聚合物通孔内。第一重分布层电性耦接至金属介层窗。第二聚合物层配置于第一重分布层上。第二聚合物层具有第二聚合物通孔，其与第一聚合物通孔在侧向上错开。第二重分布层配置于第二聚合物层上且位于第二聚合物通孔内。第二重分布层电性耦接至第一重分布层。 |
| 申请公布号 |
TW201532225 |
申请公布日期 |
2015.08.16 |
| 申请号 |
TW103145045 |
申请日期 |
2014.12.23 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
余振华 YU, CHENHUA;刘重希 LIU, CHUNGSHI;郭宏瑞 KUO, HUNGJUI |
| 分类号 |
H01L23/482(2006.01);H01L23/485(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/482(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财李世章 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |
