利用矽晶圆反射干涉的温度量测;TEMPERATURE MEASUREMENT USING SILICON WAFER REFLECTION INTERFERENCE

摘要

矽晶圆的温度量测系描述为利用离开晶圆表面的反射光之间的干涉。一个范例中，本发明包含矽处理腔室、在该腔室内的晶圆支架，该晶圆支架用以持定用于处理的矽基板，及导引至该基板的表面之雷射。光侦测器从该雷射接收光，该光从该表面直接反射且穿过该基板，且处理器基于该接收的反射光而判定该矽基板的温度。