发明名称 多临限电压装置及相关的技术和组态;MULTI-THRESHOLD VOLTAGE DEVICES AND ASSOCIATED TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS
摘要 本发明之实施例描述多临限电压装置及相关的技术和组态。于一实施例中,一种设备包括半导体基底、配置于该半导体基底上之通道体、与该通道体耦合而具有第一厚度之第一闸极电极及与该通道体耦合而具有第二厚度之第二闸极电极,其中该第一厚度系大于该第二厚度。其他实施例被描述及/或主张权利。
申请公布号 TW201532286 申请公布日期 2015.08.16
申请号 TW103139211 申请日期 2014.11.12
申请人 英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION 发明人 史泰格渥德 约瑟夫 STEIGERWALD, JOSEPH M.;甘尼 塔何 GHANI, TAHIR;胡瑞珍 HU, JENNY;波斯特 伊恩 POST, IAN R.
分类号 H01L29/788(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L29/788(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国 US