| 发明名称 |
一种半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| 摘要 |
一种半导体装置包含一半导体基板以及第一与第二电晶体设置在该半导体基板之上。第一与第二电晶体皆为p型电晶体或第一与第二电晶体皆为n型电晶体。该第一与第二电晶体具有相同标称工作电压。该第一电晶体具有一临界电压高于该第二电晶体。该第二电晶体具有至少一个源极区域或一汲极区域具有高于该第一电晶体之至少一个源极区域或一汲极区域的电荷载子迁移率。 |
| 申请公布号 |
TW201532253 |
申请公布日期 |
2015.08.16 |
| 申请号 |
TW103145757 |
申请日期 |
2014.12.26 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
庄学理 CHUANG, HARRY HAKLAY;吴伟成 WU, WEICHENG |
| 分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财李世章 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |
