具有自我对准浮动与抹除闸的非挥发性记忆体单元及其制造方法;NON-VOLATILE MEMORY CELL WITH SELF ALIGNED FLOATING AND ERASE GATES, AND METHOD OF MAKING SAME

摘要

本发明揭露一种记忆体装置及其制造方法，其中一沟槽系经形成于一半导体材料基板中。源极区系经形成于该沟槽下方，且在该源极区与汲极区之间的通道区包括实质上沿着该沟槽之一侧壁延伸的一第一部份以及实质上沿着该基板之表面延伸的一第二部份。浮动闸系经设置于该沟槽中且与该通道区第一部份绝缘，而用以控制其导电性。控制闸系经设置于该通道区第二部份上方且与其绝缘而用以控制其导电性。抹除闸系经至少部份地设置于该浮动闸上方且与其绝缘。该对浮动闸之间之该沟槽的任何部份除了该抹除闸的一下部部份以外没有导电元件。