发明名称 |
透过双重图案化及塡充技术形成不同金属材料之平行导线的方法;METHODS OF FORMING PARALLEL WIRES OF DIFFERENT METAL MATERIALS THROUGH DOUBLE PATTERNING AND FILL TECHNIQUES |
摘要 |
积体电路及形成积体电路的方法,积体电路包括第一介电层,其包括一表面,积体电路包括界定在介电层表面的复数个第一凹槽以及复数个第一导线,其中该第一导线之各者形成在第一凹槽之各者中。积体电路亦包括界定在介电层表面中的复数个第二凹槽以及复数个第二导线,其中第二导线之各者形成在第二凹槽之各者中。进一步而言,第一导线包含具有第一体积电阻率的第一材料并且第二导线包含具有第二体积电阻率的第二材料,其中第一体积电阻率与第二体积电阻率不相同。 |
申请公布号 |
TW201532190 |
申请公布日期 |
2015.08.16 |
申请号 |
TW103133284 |
申请日期 |
2014.09.25 |
申请人 |
英特尔股份有限公司 INTEL CORPORATION |
发明人 |
克拉克 詹姆斯 CLARKE, JAMES S.;史密兹 安东尼 SCHMITZ, ANTHONY C.;史肯克 理查 SCHENKER, RICHARD E. |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/48(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
主权项 |
|
地址 |
美国 US |