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经营范围
发明名称
半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
一种半导体装置包括:记忆体区块,其包括记忆体单元,记忆体单元耦接在位元线和共同源极线之间,且通过施加至字线的电压来操作;以及操作控制区块,其适于对记忆体区块执行消除操作和预程式设计操作,其中,操作控制区块在消除操作完成之后执行消除位准控制操作,使得相对靠近位元线的记忆体单元的阈值电压和相对靠近共同源极线的记忆体单元的阈值电压分布在不同的消除位准处。
申请公布号
TW201532046
申请公布日期
2015.08.16
申请号
TW103140149
申请日期
2014.11.20
申请人
爱思开海力士有限公司 SK HYNIX INC.
发明人
李元熙 LEE, WON HEE
分类号
G11C16/06(2006.01)
主分类号
G11C16/06(2006.01)
代理机构
代理人
阎启泰林景郁
主权项
地址
南韩 KR
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