HALBLEITERVORRICHTUNG, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DERSELBEN UND IGBT MIT EINER MIT EINER FREMDSTOFFZONE VERBUNDENEN EMITTERELEKTRODE

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (10) umfasst einen Halbleiterkörper (100), der eine Driftzone (121) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen Emitterbereich (103) eines zweiten, komplementären Leitfähigkeitstyps, die gestaltet ist, um Ladungsträger in die Driftzone (121) zu injizieren, und eine Emitterelektrode (107) aufweist. Die Emitterelektrode (107) umfasst eine Metallsilizidschicht (106) in direktem ohmschem Kontakt mit dem Emitterbereich (103). Eine Nettofremdstoffkonzentration in einem Teil des Emitterbereiches (103) direkt angrenzend an die Metallsilizidschicht (106) ist höchstens 1 × 1017 cm–3.