| 摘要 |
<p>반도체 기판 내에 금속 원자들을 포집하기 위한 다수의 게터링 영역을 갖는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법을 개시한다. 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은, 반도체 기판에 게이트 전극을 형성한다. 상기 게이트 전극 일측의 상기 반도체 기판 부분에 소오스/드레인 영역을 형성한다. 상기 소오스/드레인 영역에 인접한 상기 반도체 기판 내에 게터링 영역(Gettering area)을 형성한다. 상기 게터링 영역은 상기 소오스/드레인 영역으로부터 1Å ∼ 3,000Å 이격된다. 상기 게이트 타측의 상기 반도체 기판 부분에 포토다이오드를 형성할 수 있다. 상기 게터링 영역은 탄소(C) 원자를 이온주입하여 형성할 수 있다. 상기 소오스/드레인 영역 및 상기 게터링 영역은 동일한 이온주입 마스크를 이용하고, 상호 다른 불순물을 이온주입하여 형성할 수 있다.</p> |
