| 发明名称 | NAND编程技术 | ||
| 摘要 | 一种NAND编程方法，包括：若与待编程的存储器单元相关联的数据模式形成双侧列-条(CS2)数据模式，则将编程电压Vpgm作为双重脉冲的编程脉冲来施加，以对NAND存储器阵列编程。CS2数据模式包括直接介于待编程的两个存储器单元之间的将不被编程的存储器单元，以使得与将不被编程的存储器单元相关联的沟道具有所施加的升压电压，以及与待编程的两个存储器单元相关联的沟道具有所施加的编程电压。通过第一编程电压脉冲来编程这两个存储器单元中的第一存储器单元，并通过第二编程电压脉冲来编程第二存储器单元。若未形成CS2数据模式，则将编程电压Vpgm作为单脉冲来施加。 | ||
| 申请公布号 | CN102103889B | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201010617960.4 | 申请日期 | 2010.12.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | A·后田;A·布里克勒;H·刘;T·田中 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 毛力 |
| 主权项 | 一种编程NAND存储器阵列的方法，包括：选择所述NAND存储器阵列的字线以编程耦合至所述字线的至少两个存储器单元，所述字线被耦合至多个存储器单元；若与待编程的至少两个存储器单元相关联的数据模式是双侧列‑条(CS2)数据模式则通过将编程电压Vpgm作为双重脉冲施加给所述字线来编程耦合至所述字线的所述至少两个存储器单元，所述至少两个存储器单元中的第一存储器单元由第一编程电压脉冲编程而所述至少两个存储器单元中的第二存储器单元由第二编程电压脉冲编程；以及若与待编程的至少两个存储器单元相关联的数据模式不是双侧列‑条(CS2)数据模式则通过将编程电压Vpgm作为单个脉冲施加给所述字线来编程耦合至所述字线的所述至少两个存储器单元。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||