发明名称 使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺
摘要 一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺,它包括:拉晶、切片导角、双面磨削,双面抛光、最终抛光、高温热处理工序。本制造工艺流程中保留双面磨削,磨削后直接抛光,省去单面磨削工序,而抛光没有消除的表层微损伤由后续高温热处理工艺来消除,本工艺流程简单,既可以提高生产效率,也可以提高硅片的质量。
申请公布号 CN103144024B 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201110401693.1 申请日期 2011.12.06
申请人 有研半导体材料有限公司 发明人 冯泉林;闫志瑞;何自强;盛方毓;赵而敬;李宗峰
分类号 B24B37/08(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 B24B37/08(2012.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 郭佩兰
主权项 一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺,它包括:拉晶、切片导角、双面磨削,双面抛光、最终抛光、高温热处理工序;所述的高温热处理工序包括:(1)、650℃下将经过清洗的硅片载入;硅片所处环境中氧气和水分的含量应小于1ppma,达到热平衡后,通入氩气将腔体内的氮气逐渐置换出去,整个恒温和氮气置换需要10‐20min;(2)、当腔体内变成氩气气氛后,对腔体升温到1250‐1300℃,整个升温过程中需要不断充入氩气,氩气的流量在10‐50L/min;(3)、将硅片在1250‐1300℃恒温,恒温时间为30‐60min,继续保持氩气的流量在10‐50L/min;(4)、在保证不出现热滑移的前提下,将硅片快速降温到650℃,氩气的流量在10‐80L/min;(5)、在纯氮气环境下冷却至室温,硅片出炉,获得了表层无微应力的硅片。
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