FinFET器件及其制造方法

摘要

公开了半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括衬底，和设置在衬底上方的第一介电层。半导体器件还包括缓冲层，设置在衬底的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括绝缘体层，设置在缓冲层的上方以及介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。半导体器件还包括设置在第一介电层和绝缘体层上方的第二介电层。此外，半导体器件包括鳍结构，设置在绝缘体层上方以及第二介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。本发明还公开了FinFET器件及其制造方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一介电层，设置在所述衬底的上方；缓冲层，设置在所述衬底的上方并在介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间；绝缘体层，设置在所述缓冲层的上方，并在所述介电层的所述沟槽的所述第一壁和所述第二壁之间；第二介电层，设置在所述第一介电层和所述绝缘体层的上方；以及鳍结构，设置在所述绝缘体层的上方，并在所述第二介电层的沟槽的第一壁和第二壁之间。