槽栅结构的N型LDMOS器件及工艺方法

摘要

本发明公开了一种槽栅结构的N型LDMOS器件，在P型衬底上的N型外延层中具有P阱，P阱中具有所述LDMOS器件的源区以及重掺杂P型区，衬底表面具有场氧化层，沟槽型的多晶硅栅极位于N型外延层中，沟槽内壁具有栅氧化层；所述的N型外延层中还具有P型外延层，深接触孔穿通P型外延层底部位于N型外延层中。上述结构使器件表面电场降低，器件具有更高的击穿电压。本发明还公开了所述槽栅结构的N型LDMOS器件的工艺方法。

主权项

一种槽栅结构的N型LDMOS器件，在P型衬底上的N型外延层中具有沟槽，沟槽内壁附着栅氧化层并填充多晶硅形成所述LDMOS器件的多晶硅栅极；所述LDMOS器件的源区位于P阱中，且P阱中还具有重掺杂P型区；衬底表面具有场氧化层；其特征在于：所述的N型外延层之上还具有P型外延层，所述P阱位于P型外延层中，深接触孔穿通P型外延层底部位于N型外延层中。