发明名称 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
摘要 【課題】シャワーヘッドを介してガス供給を行う場合であっても、シャワーヘッド内および処理空間内のそれぞれに対してクリーニング処理を十分かつ良好に行えるようにする。【解決手段】基板を処理する処理空間と、貫通孔が設けられた分散板を挟んで処理空間と隣接するシャワーヘッドバッファ室と、シャワーヘッドバッファ室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、処理空間内にクリーニングガスを供給する処理空間クリーニングガス供給系と、処理空間へのクリーニングガスの供給とシャワーヘッドバッファ室への不活性ガスの供給とを並行して行うように、不活性ガス供給系及び処理空間クリーニングガス供給系を制御する制御部と、を備えて基板処理装置を構成する。【選択図】図1
申请公布号 JP5762602(B1) 申请公布日期 2015.08.12
申请号 JP20140128987 申请日期 2014.06.24
申请人 株式会社日立国際電気 发明人 佐々木 隆史;山本 哲夫
分类号 C23C16/44;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/318;H01L21/324 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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