发明名称 |
四通路高频小功率晶体管阵列 |
摘要 |
一种四通路高频小功率晶体管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特殊之处是:在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域,将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。实现了独立的四通路模拟开关的功能,各通路开关性能良好且相互独立,可进行数字信号与模拟信号的传输,导通电阻小、开关频率快,产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高;结构紧凑、占用空间小、散热性好,在高温、高湿、强震动的恶劣条件下正常工作。 |
申请公布号 |
CN204558461U |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201520267190.3 |
申请日期 |
2015.04.28 |
申请人 |
锦州辽晶电子科技有限公司 |
发明人 |
苏舟;王立伟;闫岩;潘宇净 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
锦州辽西专利事务所 21225 |
代理人 |
李辉 |
主权项 |
一种四通路高频小功率晶体管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特征是:在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域,将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。 |
地址 |
121000 辽宁省锦州市古塔区人民街五段10号 |