发明名称 高压纳秒脉冲电源装置
摘要 本发明公开了一种高压纳秒脉冲电源装置,包括:串联的第一碳化硅NMOS管和第二碳化硅NMOS管,第一碳化硅NMOS管的源极与第二碳化硅NMOS管的漏极相连,第二碳化硅NMOS管的源极接地;直流电压源,其高压端与第一碳化硅NMOS管的漏极相连,低压端接地;储能电容,其一端与直流电压源的高压端相连,另一端接地;变压器,其初级线圈的一端连接至第一碳化硅NMOS管的源极和第二碳化硅NMOS管的漏极之间,另一端接地,其次级线圈的两端构成输出端;第一光电耦合器,其受光器经过第一门驱动器与第一碳化硅NMOS管的门极相连;和第二光电耦合器,其受光器经过第二门驱动器与第二碳化硅NMOS管的门极相连。本发明具有控制灵活、电磁兼容性好、脉冲宽度小、重复频率高等优点。
申请公布号 CN103475257B 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201310436461.9 申请日期 2013.09.23
申请人 清华大学 发明人 高岛圭介;黄邦斗;蒲以康
分类号 H02M9/04(2006.01)I 主分类号 H02M9/04(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 黄德海
主权项 一种高压纳秒脉冲电源装置,其特征在于,包括:串联的第一碳化硅NMOS管和第二碳化硅NMOS管,所述第一碳化硅NMOS管的源极与第二碳化硅NMOS管的漏极相连,所述第二碳化硅NMOS管的源极接地;直流电压源,所述直流电压源的高压端与所述第一碳化硅NMOS管的漏极相连,所述直流电压源的低压端接地;储能电容,所述储能电容的一端与所述直流电压源的所述高压端相连,所述储能电容的另一端接地;变压器,所述变压器的初级线圈的一端连接至所述第一碳化硅NMOS管的源极和第二碳化硅NMOS管的漏极之间,所述变压器的初级线圈的另一端接地,所述变压器的次级线圈的两端构成输出端;第一光电耦合器,所述第一光电耦合器的发光源用于输入第一控制信号,所述第一光电耦合器的受光器经过第一门驱动器与所述第一碳化硅NMOS管的门极相连;和第二光电耦合器,所述第二光电耦合器的发光源用于输入第二控制信号,所述第二光电耦合器的受光器经过第二门驱动器与所述第二碳化硅NMOS管的门极相连,其中,所述第一控制信号和所述第二控制信号同步,当高压侧碳化硅NMOS管关断时,利用低压侧碳化硅NMOS管,强制将输出拉回零电平,从而减小脉冲宽度。
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