发明名称 |
离子注入监测装置 |
摘要 |
一种监测晶圆离子分布的装置,包括第一传感器和第二传感器。第一传感器、第二传感器和晶圆置于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内。控制器基于来自第一传感器和第二传感器的感测信号确定晶圆的每个区域的离子剂量。此外,控制器调节离子束的扫描频率或晶圆的移动速度以实现晶圆上的离子均匀分布。本发明还提供了一种离子注入监测装置。 |
申请公布号 |
CN103000481B |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201210191876.X |
申请日期 |
2012.06.11 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
张钧琳;黃至鸿;郑迺汉;杨棋铭;林进祥 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I;H01J37/304(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种离子注入监测装置,包括:晶圆保持器,被配置成支撑晶圆;环形束轮廓分析仪,设置为与所述晶圆保持器上的所述晶圆相邻;第一传感器,被配置成与所述晶圆保持器同时移动,其中,所述第一传感器和所述晶圆保持器位于均匀的离子注入流轮廓的有效区域内;以及第一测流计,连接至所述第一传感器,用于接收来自所述第一传感器的第一感测信号。 |
地址 |
中国台湾新竹 |