| 发明名称 | 两性霉素B对记忆性T细胞体外扩增中的应用 | ||
| 摘要 | 本发明提供了两性霉素B对记忆性T细胞在体外扩增上的应用，所述两性霉素B的浓度为5~40uM，最适浓度为20uM，所述记忆性T细胞为CD4<sup>+</sup> T细胞。本发明中首次公开了两性霉素B在体外T细胞培养中的应用，方法安全有效，成本低廉，为过继免疫治疗的广泛开展提供了良好的技术支持。 | ||
| 申请公布号 | CN104830771A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510228577.2 | 申请日期 | 2015.05.07 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 张辉;张译文 |
| 分类号 | C12N5/0783(2010.01)I | 主分类号 | C12N5/0783(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 任重 |
| 主权项 | 两性霉素B对中央记忆性T细胞在体外扩增上的应用。 | ||
| 地址 | 510275 广东省广州市新港西路135号 | ||