| 发明名称 | Cr3+掺杂PZT薄膜在制备铁电薄膜太阳能电池中的应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Cr3+掺杂PZT薄膜在制备铁电薄膜太阳能电池中的应用，所述Cr3+掺杂PZT薄膜中，Cr3+的摩尔百分比为2%～10%，从下到上依次包括玻璃、ITO导电层、Cr3+掺杂PZT薄膜层、ITO导电层；所述Cr3+掺杂PZT薄膜层设于ITO导电层之间。本发明首次在PZT薄膜层引入摩尔百分比为2%～10%的Cr3+掺杂离子，构成了Cr3+掺杂PZT薄膜；在较低的退火温度下，得到了具有较高剩余极化的铁电薄膜；相比普通的PZT/ITO结构的铁电薄膜太阳能电池，本发明的剩余极化提高了2-3倍，光电转换效率提高了6倍，取得了较好的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN104835880A | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201510287515.9 | 申请日期 | 2015.05.29 |
| 申请人 | 常熟苏大低碳应用技术研究院有限公司 | 发明人 | 郑分刚;古寿林;吴星波 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人 | 汪旭东 |
| 主权项 | Cr3+掺杂PZT薄膜在制备铁电薄膜太阳能电池中的应用，其特征在于：所述Cr3+掺杂PZT薄膜中，Cr3+的摩尔百分比为2%～10%。 | ||
| 地址 | 215500 江苏省苏州市常熟市东南经济开发区东南大道６８号１幢 | ||