功率晶体管的制造方法和功率晶体管

摘要

本发明提供了一种功率晶体管的制造方法和一种功率晶体管，其中，功率晶体管的制造方法包括：在形成有外延层的衬底的上表面生长第一氧化层；向外延层的顶部注入第一掺杂离子，形成体区层；向体区的顶部注入第二掺杂离子，形成N+区层，得到衬底结构；在衬底结构上的多个第一预设区域进行刻蚀，以形成多个沟槽；刻蚀掉剩余的第一氧化层，并在形成有沟槽的衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层的表面生长多晶硅层，并在多晶硅层的表面生长第二氧化层；在第二氧化层和多晶硅层上刻蚀掉多个第二预设区域之外的第二氧化层和多晶硅层，以形成多个凸起；沿每两个相邻凸起之间的侧壁进行刻蚀，以形成接触孔。通过本发明的技术方案，提高了功率晶体管的集成度。

主权项

一种功率晶体管的制造方法，其特征在于，包括：在形成有外延层的衬底的上表面生长第一氧化层，所述第一氧化层位于所述外延层的上方；向所述外延层的顶部注入第一掺杂离子，形成体区层；向所述体区的顶部注入第二掺杂离子，形成N+区层，得到衬底结构；在所述衬底结构上的多个第一预设区域进行刻蚀，以使每个所述第一预设区域进行刻蚀后均形成一个沟槽，所述每个第一预设区域和所述多个第一预设区域中的其他第一预设区域均不相交；刻蚀掉剩余的所述第一氧化层，并在形成有所述沟槽的衬底上生长栅氧化层；在所述栅氧化层的表面生长多晶硅层，所述双沟槽被所述多晶硅层填充，并在所述多晶硅层的表面生长第二氧化层；在所述第二氧化层和所述多晶硅层上刻蚀掉多个第二预设区域之外的第二氧化层和多晶硅层，以形成多个包含有多晶硅层和第二氧化层的凸起，其中，一个所述第一预设区域处于相对应的一个所述第二预设区域在所述一个第一预设区域所在面上的投影内；沿多个所述凸起中每两个相邻凸起之间的侧壁进行刻蚀，在所述衬底上处于所述每两个相邻凸起之间的结构上形成接触孔。