发明名称 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用
摘要 本发明属于PI覆盖膜制造领域,提供一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用,薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成,其中,聚酰亚胺基体质量分数为80~100wt%,增强填料质量分数0%~20wt%,具有孔径尺寸≤2μm的微孔。通过试验测得,本发明提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜最低介电常数可以达到2.6,而拉伸强度仍保持较高的拉伸强度为160MPa。以该多孔低介电聚酰亚胺薄膜为基材制成的PI覆盖膜绝缘电阻为1.0×10<sup>11</sup>,300。C、10秒未出现气泡和分层现象,剥离强度为1.3~1.6Kfg/cm,说明本发明提供的薄膜具有优良的性状。
申请公布号 CN104829859A 申请公布日期 2015.08.12
申请号 CN201510226194.1 申请日期 2015.05.06
申请人 无锡顺铉新材料有限公司 发明人 宋艳江;吕亮;刘顺祯
分类号 C08J9/26(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I 主分类号 C08J9/26(2006.01)I
代理机构 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人 夏平;杨秀丽
主权项 一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用。
地址 214000 江苏省无锡市北塘区会岸路88-2