发明名称 NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD FOR SENSING WITH PIPELINED CORRECTIONS FOR NEIGHBORING PERTURBATIONS
摘要 <p>워드 라인(WLn) 상에 한 페이지의 비휘발성 복수-레벨 저장 소자는 인접한 워드 라인(WLn+1) 상에 인접한 페이지로부터의 교란들을 보상하면서 병렬로 감지된다. 먼저, WLn+1 상에 저장 소자의 상기 프로그램된 임계값은 시간 영역에서 감지되며 시간 마커로서 인코딩된다. 이것은 시간에 따라 증가하는 스캔 감지 전압에 의해 달성된다. 저장 소자의 시간 마커는 저장 소자가 도통하기 시작한 때 또는 등가적으로 스캔 감지 전압이 저장 소자의 임계값에 도달하였을 때를 나타낸다. 두 번째로, WLn 상에 페이지는 오프셋 레벨을 가진 동일 스캔 전압이 보상으로서 WLn+1에 인가되는 동안 감지된다. 특히, WLn 상에 저장 소자는 WLn+1 상에 인접한 저장 소자의 시간 마커에 의해 표시된 시간, 즉 오프셋 스캔 전압이 WLn+1 상에 적합한 보상 바이어스 전압을 전개할 때 시간에서 감지될 것이다.</p>
申请公布号 KR101541710(B1) 申请公布日期 2015.08.12
申请号 KR20117015029 申请日期 2009.12.16
申请人 发明人
分类号 G11C16/02;G11C16/26;G11C16/30 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人
主权项
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