| 发明名称 | 采用耗尽模式GaN基FET的串叠电路 | ||
| 摘要 | 一种电路包括输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点。该电路还包括III族氮化物耗尽模式FET，其具有源极、漏极和栅极，其中，耗尽模式FET的栅极联接到使耗尽模式FET保持在其导通状态的电势。另外，该电路还包括增强模式FET，其具有源极、漏极和栅极。耗尽模式FET的源极串联联接到增强模式FET的漏极。耗尽模式FET的漏极用作输入漏极节点，增强模式FET的源极用作输入源极节点，并且增强模式FET的栅极用作输入栅极节点。 | ||
| 申请公布号 | CN102694013B | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
| 申请号 | CN201210189604.6 | 申请日期 | 2008.03.20 |
| 申请人 | 电力集成公司 | 发明人 | 迈克尔·墨菲 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H03K19/094(2006.01)I;H03K19/0952(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 一种电路，包括：输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点；具有源极、漏极和栅极的III族氮化物耗尽模式FET，其中，所述耗尽模式FET是具有大于100V的额定电压的高压FET，其中，所述耗尽模式FET的栅极联接到使所述耗尽模式FET保持在其导通状态的电势，其中，所述耗尽模式FET具有二维高迁移率沟道，该二维高迁移率沟道将载流子限制在III族氮化物层和肖特基层之间的界面区域；具有源极、漏极和栅极的增强模式FET，其中，所述增强模式FET是硅基器件或者GaAs基器件，并且其中，所述耗尽模式FET的所述源极串联联接到所述增强模式FET的所述漏极，并且其中，所述耗尽模式FET的所述漏极用作所述输入漏极节点，所述增强模式FET的所述源极用作所述输入源极节点，并且所述增强模式FET的所述栅极用作所述输入栅极节点。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||