半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，其结构包括一衬底、一第一叠层结构、以及一第一导电层。第一叠层结构形成于衬底上，第一叠层结构包括一导电结构和一绝缘结构，导电结构是设置邻接于绝缘结构。第一导电层形成于衬底上并围绕第一叠层结构的两侧壁和部份顶部，以暴露出第一叠层结构的一部分。

主权项

一种半导体结构，包括：一衬底；一第一叠层结构，形成于该衬底上，其中该第一叠层结构包括一导电结构和一绝缘结构，该导电结构是设置邻接于该绝缘结构；以及一第一导电层，形成于该衬底上并围绕该第一叠层结构的两侧壁和部份顶部，以暴露出该第一叠层结构的一部分；其中，该第一导电层包括一第一主体部和设置于该第一主体部上方的一第一覆盖部，该第一主体部是对应覆盖该第一叠层结构的两侧壁的下方，该第一覆盖部是与该第一主体部连接并对应覆盖该两侧壁的上方与该第一叠层结构的该部份顶部，且该第一覆盖部的宽度是小于对应的各该侧壁的宽度，以暴露出该第一叠层结构的该部分；该第一主体部的宽度是与各该侧壁的宽度相等，该第一覆盖部的宽度是小于该第一主体部的宽度。