发明名称 | 一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种基于去嵌入法测量硅通孔(TSV)电特性的测量结构。对于二端口及多端口互联结构,同一侧的信号和地待测TSV结构中心连线的垂直平分线上布置有隔离TSV结构,隔离TSV结构用于隔离垂直的待测TSV结构与水平的底面RDL导体之间的电磁耦合,主要由间隔布置的金属硅通孔柱构成;隔离TSV结构为内侧隔离TSV结构或者内侧隔离TSV结构与外侧隔离TSV结构两者的结合。本实用新型与现有的硅通孔生产工艺完全兼容,适合于通过去嵌入的实验测试方法测量微波、毫米波段硅通孔的电磁特性,与传统的测量方法相比大大提高了测量精度,在微波、毫米波段三维结构的测量领域将具有巨大的应用价值。 | ||
申请公布号 | CN204556783U | 申请公布日期 | 2015.08.12 |
申请号 | CN201520200577.7 | 申请日期 | 2015.04.03 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 李尔平;李永胜;杨德操;魏兴昌 |
分类号 | G01R31/26(2014.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2014.01)I |
代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 林超;林怀禹 |
主权项 | 一种基于去嵌入法测量硅通孔电特性的测量结构,包括硅衬底(1)、底面RDL导体(2)、通过底面RDL导体(2)连接的待测TSV结构、凸起(4)和测试引脚(6),待测TSV结构由对称分布在两侧的两组待测硅通孔柱构成,待测TSV结构包括信号待测TSV结构(3)和地待测TSV结构(12),其特征在于:对于二端口及多端口互联结构,同一侧的信号待测TSV结构(3)和地待测TSV结构(12)中心连线的垂直平分线上布置有隔离TSV结构,隔离TSV结构用于隔离垂直的待测TSV结构与水平的底面RDL导体(2)之间的电磁耦合,隔离TSV结构主要由间隔布置的金属硅通孔柱构成,所有金属硅通孔柱两侧对称;隔离TSV结构为内侧隔离TSV结构(5)或者内侧隔离TSV结构(5)与外侧隔离TSV结构(10)两者的结合,内侧隔离TSV结构(5)位于互联内侧(5),外侧隔离TSV结构(10)位于互联外侧(10)。 | ||
地址 | 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |