发明名称 |
SOI器件 |
摘要 |
提供了一种SOI器件。一示例器件可以包括:SOI衬底,包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层;在SOI衬底上形成的半导体器件,包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区;在SOI层、埋入绝缘层和基底衬底中形成的位于沟道区下方的后退阱,其中,后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂,而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂;以及在基底衬底中形成的背栅,其中,背栅与后退阱电耦合。利用这种后退阱,可以在沟道区形成较薄的耗尽层,尽管SOI层可能较厚。另一方面,通过与后退阱电耦合的背栅,可以控制器件的阈值电压。 |
申请公布号 |
CN204558469U |
申请公布日期 |
2015.08.12 |
申请号 |
CN201520311982.6 |
申请日期 |
2015.05.14 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
朱慧珑;钟健;张严波 |
分类号 |
H01L29/772(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/772(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
倪斌 |
主权项 |
一种绝缘体上半导体SOI器件,包括:SOI衬底,包括基底衬底、埋入绝缘层和SOI层;在SOI衬底上形成的半导体器件,包括位于SOI层中的源区和漏区以及位于源区和漏区之间的沟道区;以及在基底衬底中形成的背栅,其特征在于,该SOI器件还包括在SOI层、埋入绝缘层和基底衬底中形成的位于沟道区下方的后退阱,其中,后退阱在SOI层和埋入绝缘层中形成低浓度阱掺杂,而在基底衬底中形成高浓度阱掺杂,其中,背栅与后退阱电耦合。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |