半导体器件背面电极制作方法

摘要

本发明提供一种半导体器件背面电极制作方法，该方法包括：使用酸性溶液清洗硅晶片；通过干法刻蚀去除硅晶片背面的残留物；采用脱水剂清洗硅晶片；通过溅射或蒸发在硅晶片背面制备金属层；根据预设的第一退火温度，将硅晶片放入热处理装置中进行第一热退火处理；根据预设的第二退火温度对硅晶片进行第二热退火处理形成金属硅化物；对金属硅化物进行刻蚀，以在硅晶片背面形成电极。通过干法刻蚀和脱水剂清洗去除硅晶片上的残留物和水分，进而对硅晶片依次进行第一热退火处理和第二热退火处理，防止在金属层上生成氧化物或碳氢化合物，有效降低了接触电阻，使得制作出的背面电极的可靠性等性能良好。

主权项

一种半导体器件背面电极制作方法，其特征在于，包括：使用酸性溶液清洗硅晶片；通过干法刻蚀，去除清洗后的所述硅晶片背面的残留物；采用脱水剂清洗所述硅晶片，以去除所述硅晶片上残留的水分；通过溅射或蒸发，在所述硅晶片背面制备金属层；根据预设的第一退火温度，将所述硅晶片放入热处理装置中进行第一热退火处理，以蒸发所述硅晶片上的水分；根据预设的第二退火温度，对所述硅晶片进行第二热退火处理，以使所述硅晶片与所述金属层反应，形成金属硅化物；对所述金属硅化物进行刻蚀，以在所述硅晶片背面形成电极。