使用外延横向过生长来形成沟槽的方法和深垂直沟槽结构

摘要

本发明涉及使用外延横向过生长来形成沟槽的方法和深垂直沟槽结构。在一方面中，在半导体材料中形成沟槽的方法包含在半导体衬底上形成第一电介质层。第一电介质层包含第一开口。外延层通过外延横向过生长工艺生长在半导体衬底上。第一开口被外延层填充并且外延层生长到第一电介质层的相邻部分上，从而第一电介质层的部分不被外延层覆盖并且在不被外延层覆盖的第一电介质层的部分之上在外延层的相对侧壁之间形成间隙。间隙限定在外延层中的延伸到第一电介质层的第一沟槽。

主权项

一种在半导体材料中形成沟槽的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一电介质层，所述第一电介质层包括第一开口；并且在半导体衬底上通过外延横向过生长工艺来生长外延层，其中第一开口被外延层填充并且外延层生长到第一电介质层的相邻部分上，从而第一电介质层的部分不被外延层覆盖并且在不被外延层覆盖的第一电介质层的部分之上在外延层的相对侧壁之间形成间隙，所述间隙限定在外延层中的延伸到第一电介质层的第一沟槽。